CXMT, 2026년 4F2 서버 메모리 출시 목표…삼성은 2028년 양산 전망

더 작아진 메모리 셀, 야심 찬 일정

중국 최대 메모리 칩 제조사인 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 2026년 말까지 4F2 DRAM 아키텍처를 적용한 DDR5 등록형 서버 메모리를 선보일 계획이다. 차오칸위 사장은 10월 10일 상하이에서 열린 제4회 집적회로·칩렛 콘퍼런스에서 이 계획을 공개했다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론과 경쟁하려는 회사의 구상에 구체적인 제품과 시한이 제시된 것이다.

제안된 아키텍처는 메모리 셀 하나가 차지하는 면적을 주류인 6F2 설계에서 4F2로 줄인다. 최소 선폭이 같다고 가정하면 셀 면적을 이론적으로 3분의 1 줄일 수 있다. 칩 하나에 더 많은 메모리를 넣을 수 있지만, 완제품에서 얻는 이점은 회로 구성, 제조 결과와 기타 설계 요건에 따라 달라진다.

CXMT가 제시한 시한은 삼성전자의 2028년 양산 목표로 알려진 일정에 비해 약 2년 빠르다. 그렇다고 제조에서 2년 앞선다는 증거는 아직 없다. 제품을 선보이는 것과 안정적으로 대량 생산하는 것은 서로 다른 단계이며, CXMT는 계획 중인 서버 메모리의 세부 사양이나 정확한 출시일, 생산 수율을 공개하지 않았다.

이번 발표가 주목받는 이유는 중국 DRAM 업체들이 이미 진출해 있는 소비자 기기 시장이 아니라 기업용 서버 시장을 겨냥하기 때문이다. 서버 고객은 장기간 안정적으로 작동하는 메모리를 필요로 한다. 따라서 상용화 수용 여부는 셀 크기를 줄이는 데 성공했는지와는 별도의 검증 대상이다.

차오가 상하이에서 발표한 내용

영문 보도에서 차오 칸위(Chao Kanyu)로 표기되기도 하는 차오칸위는 CXMT의 새 아키텍처를 처음 적용할 제품으로 서버 메모리를 꼽았다. 그는 상하이 콘퍼런스에서 출시 계획을 다음과 같이 밝혔다.

올해 말까지 4F2 DRAM 구조를 적용한 차세대 DDR5 RDIMM 서버 메모리를 출시할 예정입니다.

RDIMM은 등록형 듀얼 인라인 메모리 모듈을 뜻한다. 이 모듈은 레지스터를 사용해 명령 및 주소 신호를 버퍼링함으로써 서버가 까다로운 메모리 구성을 지원하도록 돕는다. DDR5는 메모리 세대를, 4F2는 기반이 되는 셀 배치를 가리킨다. 따라서 이번 발표는 DDR5 표준을 대체하는 것이 아니라, 익숙한 서버 메모리 제품군에 들어가는 칩을 새로운 방식으로 만드는 데 관한 것이다.

CXMT는 핵심 제조 공정을 재설계하고 자체 수직 서라운드 게이트 트랜지스터(VSG)를 개발했다고 밝혔다. 이는 제안된 셀 배치 외에도 기술 개발이 진행됐음을 시사한다. 하지만 공정에서 실제로 사용 가능한 칩이 얼마나 생산되는지, 생산을 얼마나 빠르게 확대할 수 있는지, 서버 고객의 인증 절차가 완료됐는지는 확인되지 않았다.

보도마다 시한을 묘사하는 방식에는 차이가 있다. 일부는 연말 무렵 양산을 시작할 계획이라고 전하지만, 차오의 발언은 제품 출시를 약속하고 있다. 제조 물량이 공개되지 않은 만큼 경쟁사와 비교할 때는 출시 약속이라는 더 제한적인 내용을 기준으로 삼는 편이 타당하다.

4F2가 DRAM 칩 내부에서 바꾸는 것

DRAM은 정보를 셀에 저장하며, 데이터를 유지하려면 셀을 주기적으로 재충전해야 한다. 셀 크기를 나타내는 표기에서 F는 최소 선폭으로 통상 설명되는 최소 형상 크기를 뜻한다. 4F2 셀은 2F에 2F를 곱한 면적을 차지하고, 6F2 셀은 F 제곱 단위 여섯 칸에 해당하는 면적을 차지한다.

계산을 통해 기술 목표의 규모를 가늠할 수 있다. 면적이 여섯 단위에서 네 단위로 줄면 셀 점유 면적은 약 33% 감소한다. 셀 면적만 고려할 경우 같은 공간에 셀을 50% 더 담을 수 있다. 6을 4로 나누면 1.5가 되기 때문이다. 다만 어느 수치도 CXMT 완제품의 용량이나 속도가 그만큼 개선된다는 약속으로 받아들여서는 안 된다.

실제 칩에는 주변 회로와 연결부, 제조 제약에 따라 필요한 공간도 들어간다. 메모리 속도와 전력 소비, 신뢰성은 주어진 면적에 들어가는 셀 수만으로 결정되지 않는다. CXMT는 현재 서버 DRAM과 제품 특성을 비교할 수 있는 측정 결과를 발표하지 않았다.

제안된 VSG 트랜지스터는 채널을 수직으로 배치하고 게이트가 채널을 둘러싸는 구조다. 게이트는 트랜지스터를 통과하는 전류를 제어한다. CXMT는 이 구조가 원치 않는 전류 누설을 줄이고 메모리 밀도를 높여 전력 효율을 개선할 가능성이 있다고 설명한다.

CXMT는 메모리 셀과 주변 로직을 각각 최적화하기 위해 하이브리드 본딩도 연구하고 있다. 하이브리드 본딩은 매우 미세한 전기적 연결을 통해 반도체 구조물을 접합하는 기술이다. 메모리 어레이와 이를 지원하는 회로의 설계 유연성을 높이는 것이 목표라고 밝혔지만, 초기 DDR5 RDIMM 출시 제품에 이 기술이 적용될지는 보도만으로 확인되지 않는다.

삼성전자와 SK하이닉스도 각자 일정 추진

삼성전자와 SK하이닉스도 4F2 DRAM을 연구하고 있지만, CXMT 발표를 다룬 보도에 따르면 양사 모두 확정적인 양산 계획을 발표하지 않았다. SK하이닉스는 2025년에 관련 기술 로드맵을 공개했다. 삼성전자는 2026년 4F2를 적용한 10a DRAM 개발을 마치고, 2027년 품질 검증을 거쳐 2028년 양산에 들어갈 계획인 것으로 알려졌다.

삼성전자 일정은 보도된 개발 목표이지 확정된 보장은 아니다. 그래도 CXMT가 제시한 2026년 출시 계획에 관심이 쏠리는 이유를 설명해 준다. 중국 업체가 더 큰 경쟁사와 연관된 현재의 양산 시점보다 앞서 상용 제품을 내놓으려는 것이다.

상하이교통대 연구원 톈펑은 3대 메모리 제조사가 모두 4F2 또는 유사한 3D DRAM 기술의 로드맵을 갖고 있지만 대규모 상용화에는 아직 이르지 못했다고 말했다. 그의 평가는 한 업체가 이미 확실한 우위를 입증한 시장이라기보다 경쟁이 막 시작된 단계라는 해석을 뒷받침한다.

보도된 주요 일정은 수년에 걸쳐 있다.

• 2016년: CXMT는 회사 설립 당시 4F2 연구를 시작했다고 밝혔다.
• 2025년: SK하이닉스가 4F2 관련 기술 로드맵을 공개했다.
• 2026년 8월: CXMT는 LPDDR6 모바일 메모리 양산을 시작했다고 밝혔다.
• 2026년 9월: CXMT는 5세대 DRAM 제조 플랫폼이 양산에 들어갔다고 밝혔다.
• 2026년 10월 10일: 차오가 상하이에서 서버 메모리 계획을 발표했다.
• 2026년 말: CXMT는 4F2를 적용한 DDR5 RDIMM 출시를 목표로 하고 있다.
• 2027년과 2028년: 삼성전자는 품질 검증에 이어 양산을 계획 중인 것으로 알려졌다.

생산 수율이 경쟁의 향방을 가를 수 있다

핵심 제조 과제는 수율이다. 웨이퍼에서 생산된 칩 가운데 요구 사양을 충족하는 칩의 비율을 뜻한다. 더 작은 셀은 원리상 매력적이지만, 검사에서 불합격하는 칩이 너무 많으면 제조 비용이 높아질 수 있다. 트랜지스터 구조와 생산 단계를 바꾸려면 상업적으로 유용한 수준의 수율을 확보해야 한다.

메모리 부족이 이어지는 시기에는 이 문제가 특히 중요하다. 새 공정을 도입하는 제조사는 생산 문제를 해결하는 동안 사용 가능한 생산량이 줄어들 위험을 감수해야 한다. 기술이 결국 밀도나 성능을 개선하더라도 마찬가지다. 따라서 기존 제품에 대한 수요를 고려해 공정 전환 시기를 저울질할 이유가 기존 공급업체에는 있다.

SK하이닉스 최고기술책임자(CTO)를 지낸 김진국은 생산능력이 당장의 상업적 우선순위라고 말했다.

현재 메모리 부족이 지속될 것으로 예상되는 가운데, 시장은 기술력보다 생산능력이 더 중요한 국면으로 바뀌고 있습니다.

김 전 CTO는 새 공정을 도입할 때 발생하는 비용도 경고했다.

새 기술을 도입하는 과정에서 생산 손실은 상당할 수밖에 없습니다.

그의 발언은 발표 시점이 빠르다고 해서 경쟁력이 더 강하다는 뜻은 아닌 이유를 설명한다. 조밀한 설계를 갖췄지만 제조가 여전히 어려운 경쟁사보다, 안정적인 메모리를 대량 생산하는 회사가 고객 수요에 더 효과적으로 대응할 수 있다.

CXMT가 9월 G5 플랫폼 생산을 시작했다는 보도는 또 다른 제조 단계가 진행되고 있음을 보여준다. 그러나 그것만으로 발표된 4F2 서버 제품이 그와 동등한 준비 단계에 도달했다고 입증되지는 않는다. CXMT는 두 생산 관련 주장의 관계를 판단할 만한 세부 내용을 공개하지 않았다.

서버 고객은 또 다른 검증 대상

삼성전자, SK하이닉스, 마이크론은 서버 DRAM 시장에서 선두 지위를 유지해 왔으며, CXMT는 소비자 전자제품에 더 집중해 왔다. CXMT는 2026년 상반기 서버 사업 비중이 늘었다고 밝혔지만, 보도에는 해당 사업의 매출액이나 시장점유율이 제시되지 않았다.

따라서 서버 시장 진출과 이 시장에서 실질적인 수요를 확보하는 일 사이에는 중요한 차이가 남아 있다. 고객사는 지속적인 작업 부하에서도 시스템과 안정적으로 작동하는 메모리를 필요로 한다. 칩 밀도와 함께 제품 인증, 안정적인 납품, 일관된 성능도 중요하다.

이번 발표가 고대역폭 메모리(HBM)의 기술적 돌파구를 입증하는 것도 아니다. HBM은 고급 컴퓨팅 프로세서와 함께 널리 사용된다. DDR5 RDIMM과 HBM은 서로 다른 메모리 역할을 한다. 제안된 서버 제품의 진전을 CXMT가 보도된 HBM 기술 격차를 좁혔다는 증거로 볼 수는 없다.

일반 DRAM에서 중국과 한국의 격차에 대한 추정치는 서로 다르다. 일부 보도는 1~2년으로 보고, 다른 보도는 2~3년이라고 설명한다. HBM 격차는 대체로 최소 3년으로 평가된다. 이는 공개되고 비교 가능한 제품 시험에서 도출된 측정값이 아니라 업계의 평가다.

특허와 장비가 더 큰 경쟁 구도를 좌우한다

CXMT는 4F2 관련 특허군을 300개 이상 공개했으며, 2016년부터 이 아키텍처를 연구해 왔다고 밝혔다. 특허군은 하나의 발명을 보호하는 관련 출원들을 출원 건이나 관할권에 걸쳐 묶은 것이다. 이 수치는 상당한 규모의 지식재산권을 주장하고 있음을 보여주지만, 제조 기술의 발전이 각각 입증된 특허 300개와 같은 뜻은 아니다.

차오는 CXMT가 보유한 관련 특허가 국내외 경쟁사보다 많다고도 주장했다. 이 순위를 검증할 비교 특허 자료는 제시되지 않았다. 상업적으로 더 중요한 검증 기준은 설계를 제조할 수 있는지, 제품이 고객 요구를 충족하는지, 대량 공급이 가능한지다.

장비 접근성도 제약 요인이다. 보도에 따르면 CXMT는 ASML의 극자외선(EUV) 노광 장비를 사용할 수 없다. EUV는 제조사가 극도로 작은 형상을 패터닝하는 데 쓰이며, 이 장비가 없다는 점은 CXMT가 상업적으로 쓸 만한 수율을 확보하는 과정에 불확실성을 더한다.

일부 업계 의견은 미래 3D DRAM 생산에서 EUV의 영향이 줄어들 것이라고 본다. 그러나 이는 이후 아키텍처에 관한 전망일 뿐, 발표된 제품이 직면한 제조 과제를 없애지는 않는다. 4F2 셀의 수직 트랜지스터가 DRAM 셀을 여러 층으로 적층하는 것과 자동으로 같은 의미도 아니다.

중국의 다른 기술 개발 사례도 한국 제조사들이 우려하는 배경을 보여준다. 화웨이는 로직 폴딩 기술을 홍보했고, 보도에 따르면 삼성전자는 YMTC의 Xtacking 본딩 기술 사용료를 지불하고 있다. 서로 다른 기술과 기업에 관한 사례이므로 CXMT의 서버 메모리 주장을 입증해 주지는 않는다.

화웨이와 퀄컴이 10월 5일 발표한 것으로 보도된 특허 라이선스 계약은 5G, 컴퓨팅, 인공지능, 네트워킹을 대상으로 한다. 이는 중국 지식재산권이 업계에서 차지하는 폭넓은 역할을 보여주지만, DRAM 계약도 아니고 4F2 생산 준비가 됐다는 증거도 아니다.

시한 전까지 입증해야 할 것들

CXMT의 재무 확장도 기술 개발 추진의 배경을 보여준다. 보도에 따르면 CXMT는 7월 지분 매각을 통해 약 86억 달러, 즉 약 666억1,000만 위안을 조달했으며, 첫 거래일 주가는 466% 올랐다. 이 수치는 대규모 자금 조달과 투자자 관심을 보여주는 것이지, 계획 중인 메모리 제품의 기술적 검증을 뜻하지는 않는다.

기존 공급업체들의 주가 반응은 비교적 제한적이었다. 보도된 거래에서 마이크론은 시간외 거래에서 약 1% 하락했고, SK하이닉스는 국내 거래에서 0.8% 내렸다. 반도체주 전반의 매도세와 인공지능 투자 지출에 대한 우려도 있었기 때문에, 이 움직임을 CXMT 발표만으로 설명할 수는 없다.

다음으로 제시된 시한은 2026년 말이다. 직접 비교가 가능해지려면 CXMT는 출시일을 넘어 더 많은 정보를 공개해야 한다. 모듈 사양, 생산 규모, 고객 인증, 안정적인 작동을 보여주는 증거가 있어야 이번 발표의 상업적 의미를 판단할 수 있다.

현재로서는 CXMT가 삼성전자의 양산 일정으로 보도된 시점보다 앞선 제품 목표를 제시하고 구체적인 아키텍처 접근법을 설명했다. 이것이 서버 메모리에서 우위로 이어질지는 일정표만이 아니라 실제 사용 가능한 생산량과 고객 채택에 달려 있다.

핵심 요점

• CXMT는 4F2 DRAM을 적용한 DDR5 등록형 서버 메모리를 2026년 말까지 출시할 계획이다.
• 같은 최소 선폭을 기준으로 4F2 셀은 6F2 셀보다 이론상 3분의 1 작다.
• CXMT는 자체 수직 서라운드 게이트 트랜지스터가 누설 전류를 줄이고 밀도 향상을 뒷받침한다고 밝혔다.
• 삼성전자는 2028년 양산을 목표로 하는 것으로 알려졌으며, SK하이닉스는 2025년 관련 로드맵을 공개했다.
• CXMT는 제품 세부 사양과 생산 수율, 정확한 출시일을 공개하지 않았다.
• 출시가 앞서더라도 대규모 제조나 서버 고객 채택에서 우위를 확보했다는 뜻은 아니다.